咨询电话:
13342964007

您的当前位置:首页 > 产品中心 > 美国斯坦福放大器

DG645 — 低抖动延迟发生器
产品型号:
简介:

DG645 是一款多功能数字延迟/脉冲发生器,可提供准确定义的脉冲,重复频率高达 10 MHz。与旧设计相比,该仪器提供了多项改进——更低的抖动、更高的精度、更快的触发速率和更多的输出。DG645 还具有以太网、GPIB 和RS-232接口,用于仪器的计算机或网络控制。

DG645 — 低抖动延迟发生器  的详细介绍

数字延迟发生器
DG645 — 低抖动延迟发生器

  • 4个脉冲输出

  • 8 个延迟输出(可选)

  • 小于 25 ps rms 抖动

  • 触发率高达 10 MHz

  • 准确率发生器

  • 快速过渡时间

  • Ovenized 或 Rb 时基(可选)

  • 以太网、GPIB 和 RS-232

 

概述:

DG645 是一款多功能数字延迟/脉冲发生器,可提供准确定义的脉冲,重复频率高达 10 MHz。与旧设计相比,该仪器提供了多项改进——更低的抖动、更高的精度、更快的触发速率和更多的输出。DG645 还具有以太网、GPIB 和RS-232接口,用于仪器的计算机或网络控制。

 

规格:

DG645 规格

延误
频道 4 个独立脉冲控制位置和宽度。8 个延迟通道可供选择。
(见下面的输出选项
范围 0 到 2000 秒
解析度 5 皮秒
准确性 1 ns + (时基误差 × 延迟)
抖动 (rms)
   分机。触发。到任何输出
   T 0到任何输出

25 ps + (时基抖动 × 延迟)
15 ps + (时基抖动 × 延迟)
触发延迟 85 ns(外部触发到 T 0输出)

时基

标准水晶
   抖动 10 -8秒/秒
   稳定 2 x 10 -6 (20 °C 至 30 °C)
   老化 5 ppm/年
选择。4 OCXO
   抖动 10 -11秒/秒
   稳定 2 x 10 -9 (20 °C 至 30 °C)
   老化 0.2 ppm/年
选择。5 铷
   抖动 10 -11秒/秒
   稳定 2 x 10 -10(20 °C 至 30 °C)
   老化 0.0005 ppm/年
外部输入 10 MHz ± 10 ppm,正弦 >0.5 Vpp,
1 kΩ 阻抗
输出 10 MHz,2 Vpp 输入 50 Ω

外部触发

速度 DC 至 1/(100 ns + *长延迟)。
10 MHz
临界点 ±3.50 伏直流
在上升沿或下降沿触发
阻抗 1 兆欧 + 15 pF

内部速率发生器

触发模式 连拍、线拍或单拍
速度 100 µHz 至 10 MHz
解析度 1 微赫兹
准确性 与时基相同
抖动 (rms) <25 ps(10 MHz/N 触发率)
<100 ps(其他触发率)

突发发生器

触发到**个 T 0
   范围
   分辨率

0 到 2000 秒
5 ps
脉冲之间的周期
   范围
   分辨率

100 ns 至 42.9 s
10 ns
每个突发的延迟周期 1 至 2 32 - 1

输出(T 0、AB、CD、EF 和 GH)

源阻抗 50Ω
过渡时间 <2 纳秒
过冲 <100 mV + 10 % 的脉冲幅度
抵消 ±2V
振幅 0.5 至 5.0 V(电平 + 偏移<6.0 V)
准确性 100 mV + 5 % 脉冲幅度




 

一般的
计算机接口 GPIB (IEEE-488.2)、RS-232 和以太网。所有仪器功能都可以通过接口进行控制。
非易失性存储器 可以存储和调用九组仪器配置。
力量 <100 W,90 至 264 VAC,47 Hz 至 63 Hz
方面 8.5" × 3.5" × 13" (WHL)
重量 9 磅。
保修单 一年零件和人工材料和工艺缺陷




输出选项


选项 1(延迟输出)

输出数量 8 个(后面板 BNC)
输出 T 0 , A, B, C, D, E, F, G 和 H
源阻抗 50Ω
过渡时间 <1 纳秒
过冲 <100 毫伏
等级 +5 V CMOS 逻辑
脉冲特性
     上升沿
     下降沿

在*长延迟后 25 ns 编程延迟

选项 2(高压输出)

输出数量 8 个(后面板 BNC)
输出 T 0 , A, B, C, D, E, F, G 和 H
源阻抗 50Ω
过渡时间 <5 纳秒
级别 0 至 30 V 进入高阻抗,0 至 15 V 进入 50 Ω(幅度降低 1 %/kHz)
脉冲特性
     上升沿
     下降沿

在上升沿后 100 ns 的 编程延迟

选项 3(组合输出)

输出数量 8 个(后面板 BNC)
输出 T 0 , AB, CD, EF, GH, (AB+CD), (EF+GH), (AB+CD+EF), (AB+CD+EF+GH)
源阻抗 50Ω
过渡时间 <1 纳秒
过冲 <100 mV + 10 % 的脉冲幅度
脉冲特性
   T 0 , AB, CD, EF, GH 延迟之间的时间逻辑高
   (AB+CD), (EF+GH) 由给定通道的逻辑或创建的两个脉冲
   (AB+CD+EF) 由给定通道的逻辑或创建的三个脉冲
   (AB+CD+EF+GH) 由给定通道的逻辑或创建的四个脉冲

选项 SRD1(快速上升时间模块)

上升时间 <100 皮秒
秋季时间 <3 纳秒
抵消 -0.8 V 至 -1.1 V
振幅 0.5V 至 5.0V
加载 50Ω


 


 

 





地址:深圳市宝安区沙井镇华丰高新产业园D栋4楼B区 13342964007 mmmengdi@163.com